Moin,
ich habe erstmal nur bis Abschnitt 3.3 gelesen.
ich halte nach den zur Verfügung stehenden Daten den CPH3910 für besser als den JPE150:
CPH3910: gm/Cin=40 mS/6pF=6.66 GHz
JPE150 : gm/Cin=68 mS/24 pF=2.8 GHz
Dieses Güte-Maß ist beim CPH3910 also mehr als doppelt so groß.
Der JPE150 hätte nur den Vorteil, mit einem einzigen Chip bei Einstellung auf Idss weniger zu rauschen.
Das Bild unter 3.2 paßt nicht zum üblichen Verhalten von JFETs. Deren Rauschspannung nimmt mit zunehmendem Id ab bis Idss.
Berechnung von Rs:
Ich nehme mal an, mit Rs ist ein Gegenkopplungs-Widerstand im Source-Zweig gemeint.
Die Berechnung von Rs ignoriert völlig dessen Rauschbeitrag.
Wenn man auf eine gesamte Eingangs-Rauschspannung von 0.3 nV/rtHz hinarbeitet, dann muß Rs hinreichend klein sein.
Ein Widerstand von 5.4 Ohm hätte eine Rauschspannung von 0.3 nV/rtHz.
Zusammen mit einem Mehrfach-JFET von 0.3 nV/rtHz käme man dann auf 0.424 nV/rtHz.
(110 Ohm rauschen mit 1.35 nV/rtHz.)
MaW, sowohl FET als auch Rs müssen weniger rauschen, wenn man auf 0.3 nV/rtHz kommen will.
MfG Kai
Nachtrag zum tabellarischen Rausch-Vergleich:
Der CPH3910 ist bei Id=1mA mit 1.2 nV/rtHz angegeben, (In der Arbeit, aus der das Bild stammt , steht 1.4 nV/rtHz),
der JFE150 bei 5 mA mit 0.8 nV/rtHz.
Daraus wird geschlossen, der JFE150 sei besser.
Man muß bei gleichen Strömen vergleichen.
Bei einem idealen FET ohne Serien-Widerstände würde gelten En~1/Wurzel(Wurzel(Id)) wegen gm~Wurzel(Id) und En~1/Wurzel(gm).
Danach sollte ein CPH3910 bei 5 mA mit 1.2nV/Vierte_Wurzel(5)=~0.8 nV rauschen.
Man kann den CPH3910 aber auch mit 10/20/30/40 mA "laufen" lassen. Dann sollte er noch weniger rauschen.
ich habe erstmal nur bis Abschnitt 3.3 gelesen.
ich halte nach den zur Verfügung stehenden Daten den CPH3910 für besser als den JPE150:
CPH3910: gm/Cin=40 mS/6pF=6.66 GHz
JPE150 : gm/Cin=68 mS/24 pF=2.8 GHz
Dieses Güte-Maß ist beim CPH3910 also mehr als doppelt so groß.
Der JPE150 hätte nur den Vorteil, mit einem einzigen Chip bei Einstellung auf Idss weniger zu rauschen.
Das Bild unter 3.2 paßt nicht zum üblichen Verhalten von JFETs. Deren Rauschspannung nimmt mit zunehmendem Id ab bis Idss.
Berechnung von Rs:
Ich nehme mal an, mit Rs ist ein Gegenkopplungs-Widerstand im Source-Zweig gemeint.
Die Berechnung von Rs ignoriert völlig dessen Rauschbeitrag.
Wenn man auf eine gesamte Eingangs-Rauschspannung von 0.3 nV/rtHz hinarbeitet, dann muß Rs hinreichend klein sein.
Ein Widerstand von 5.4 Ohm hätte eine Rauschspannung von 0.3 nV/rtHz.
Zusammen mit einem Mehrfach-JFET von 0.3 nV/rtHz käme man dann auf 0.424 nV/rtHz.
(110 Ohm rauschen mit 1.35 nV/rtHz.)
MaW, sowohl FET als auch Rs müssen weniger rauschen, wenn man auf 0.3 nV/rtHz kommen will.
MfG Kai
Nachtrag zum tabellarischen Rausch-Vergleich:
Der CPH3910 ist bei Id=1mA mit 1.2 nV/rtHz angegeben, (In der Arbeit, aus der das Bild stammt , steht 1.4 nV/rtHz),
der JFE150 bei 5 mA mit 0.8 nV/rtHz.
Daraus wird geschlossen, der JFE150 sei besser.
Man muß bei gleichen Strömen vergleichen.
Bei einem idealen FET ohne Serien-Widerstände würde gelten En~1/Wurzel(Wurzel(Id)) wegen gm~Wurzel(Id) und En~1/Wurzel(gm).
Danach sollte ein CPH3910 bei 5 mA mit 1.2nV/Vierte_Wurzel(5)=~0.8 nV rauschen.
Man kann den CPH3910 aber auch mit 10/20/30/40 mA "laufen" lassen. Dann sollte er noch weniger rauschen.