Die guten rauscharmen FETs gab es damals nicht.
Wenn man jetzt nicht in die Gänge kommt, muß man wohl möglich bald sagen, die gibt es nicht mehr.
Spannungs-Anpassung ist eine falsche Vorstellung (gibt es auch nicht wirklich).
Man muß zweckmäßig die Einheit von Tonkopf und Trafo zusammen betrachten. Ich behaupte mal "aus dem Bauch" heraus, daß Lk ~ Le des Trafos sein sollte. Ist aber vielleicht auch garnicht so wichtig.
Wichtiger ist, daß man etwa 10 dB über das Eigenrauschen des PreAmps kommt und den Frequenzgang nicht schmerzlich einschränkt.
1:100 Spannungs-Übersetzung wäre sicher vermessen. Es muß doch nicht mehr sein als der Original-Trafo. Die Größenordnung 1:10 ist wahrscheinlicher. Da denkst du in den falschen Größenordnungen.
Das hat schließlich zufriedenstellen funktioniert, oder ?
Geht es um Ersatz eines defekten Trafos oder um Verbesserung gegenüber dem Original ?
Für die "Rausch-Anpassung" an die üblichen rauscharmen bipolaren Transistoren ala' BC549 muß "omega L" sekundärseitig sicher im Bereich einiger kOhms bleiben, um keine Probleme mit deren Rauschstrom zu bekommen.
Bei der Kombination von JFET und OpAmp als rauscharmer AC-Verstärker wird ganz selten eine JFET-Differenzstufe benutzt, weil keine DC-Präzision erforderlich ist und vor allen Dingen, weil die Differenzstufe 3 dB mehr rauscht. Wenn man stattdessen die beiden FETs eines Dual-FETs parallel schaltet, wird man 3 dB besser.
Trafos aller mögliche Übersetzungs-Verhältnisse hat die Firma Haufe gebaut. Für Mikrofone an Röhren-Bandgeräten waren 1:10 bis 1:15 üblich. Damit wurden aus 200 Ohm dann 20 / 30 / 45 kOhm. Die findet man noch.
Beim PreAmp an einer induktiven Quelle ist noch der Effekt der Miller-Kapazität zu bedenken.
Wenn die Eingangsstufe eine Verstärkung von -V hat, wirkt die Drain-Gate-Kapazität Cdg wie (V+1)*Cdg parallel zu Ciss.
Beispiel: ein BF862 mit Crss ~ 2 pF und Ciss~10 pF hat bei V=-5 eine Eingangskapazität Ce von etwa 10 pF + 6 * 2 pF= 22 pF. 10 Stück parallel sind dann schon 220 pF. Dann muß man Kaskoden-Schaltung einsetzen, entweder mit bipolaren Transistoren (wirksames -V für den FET dann wohl < 1, oder mit einem gleichartigen FET, dann V ~ -1.
Oder man arbeitet auf den invertierenden Eingang eines OpAmps, der wirkt bekanntlich in nullter Näherung wie ein Kurzschluß (in erster Näherung allerdings als Induktivität).
MfG Kai
Wenn man jetzt nicht in die Gänge kommt, muß man wohl möglich bald sagen, die gibt es nicht mehr.
Spannungs-Anpassung ist eine falsche Vorstellung (gibt es auch nicht wirklich).
Man muß zweckmäßig die Einheit von Tonkopf und Trafo zusammen betrachten. Ich behaupte mal "aus dem Bauch" heraus, daß Lk ~ Le des Trafos sein sollte. Ist aber vielleicht auch garnicht so wichtig.
Wichtiger ist, daß man etwa 10 dB über das Eigenrauschen des PreAmps kommt und den Frequenzgang nicht schmerzlich einschränkt.
1:100 Spannungs-Übersetzung wäre sicher vermessen. Es muß doch nicht mehr sein als der Original-Trafo. Die Größenordnung 1:10 ist wahrscheinlicher. Da denkst du in den falschen Größenordnungen.
Das hat schließlich zufriedenstellen funktioniert, oder ?
Geht es um Ersatz eines defekten Trafos oder um Verbesserung gegenüber dem Original ?
Für die "Rausch-Anpassung" an die üblichen rauscharmen bipolaren Transistoren ala' BC549 muß "omega L" sekundärseitig sicher im Bereich einiger kOhms bleiben, um keine Probleme mit deren Rauschstrom zu bekommen.
Bei der Kombination von JFET und OpAmp als rauscharmer AC-Verstärker wird ganz selten eine JFET-Differenzstufe benutzt, weil keine DC-Präzision erforderlich ist und vor allen Dingen, weil die Differenzstufe 3 dB mehr rauscht. Wenn man stattdessen die beiden FETs eines Dual-FETs parallel schaltet, wird man 3 dB besser.
Trafos aller mögliche Übersetzungs-Verhältnisse hat die Firma Haufe gebaut. Für Mikrofone an Röhren-Bandgeräten waren 1:10 bis 1:15 üblich. Damit wurden aus 200 Ohm dann 20 / 30 / 45 kOhm. Die findet man noch.
Beim PreAmp an einer induktiven Quelle ist noch der Effekt der Miller-Kapazität zu bedenken.
Wenn die Eingangsstufe eine Verstärkung von -V hat, wirkt die Drain-Gate-Kapazität Cdg wie (V+1)*Cdg parallel zu Ciss.
Beispiel: ein BF862 mit Crss ~ 2 pF und Ciss~10 pF hat bei V=-5 eine Eingangskapazität Ce von etwa 10 pF + 6 * 2 pF= 22 pF. 10 Stück parallel sind dann schon 220 pF. Dann muß man Kaskoden-Schaltung einsetzen, entweder mit bipolaren Transistoren (wirksames -V für den FET dann wohl < 1, oder mit einem gleichartigen FET, dann V ~ -1.
Oder man arbeitet auf den invertierenden Eingang eines OpAmps, der wirkt bekanntlich in nullter Näherung wie ein Kurzschluß (in erster Näherung allerdings als Induktivität).
MfG Kai