Deshalb habe ich den Hinweis auf Datenblatt und Applikationsschriften zum JFE150 & JFE2140 gegeben. Da gibt es Beispielschaltungen, in den Applikationsshriften sogar mit Erklärung.
Simulationen mit diskreten FETs sind so zutreffend wie ihre Modelle.
Zu deiner o.a. Beispiel-Schaltung: JFETS sind am rausch-ärmsten bei den höchsten Drainströmen, also bei Ugs~0.
Also läßt man sie idR nicht mit 1 mA laufen, sondern mit 10...20 mA (auch wenn man mehrere parallel-schaltet).
Die nächste Herausforderung ist dann, einen dynamischen Drain-Last-Widerstand zu entwerfen, an dem eine Spannungs-Verstärkung von 5...10 möglich wird, ohne exzessiv viel Gleichspannungs-Abfall zu erfordern.
Noch ein "caveat": Uds darf nicht zu groß werden, sonst steigt der Drain-Gate-Leckstrom drastisch an und injiziert Rauschen in das Gate. Oft liegt diese Grenze bei 5 V
A-Bewertung ist nicht das Gleiche wie die aktuelle ITU-R 468. Bei letzterer werden die Höhen bei ~ 6.3 kHz um 12.2 dB angehoben.
A-Bewertung ist passe'.
Die typische Wiedergabe-Entzerrung beim Tonband hebt aber viel von der ITU 468 Bewertung wieder auf.
MfG Kai
Nachtrag: Die äquivalente thermische Rauschspannung am Eingang eines FETs ist en~Wurzel(4 k T 2/3 1/gm). Dabei ist gm die Steilheit des FET.
Das ist zugleich die Formel für die Rauschspannung an einem Widerstand Rn=2/3 1/gm.
Man sieht ihr an, daß größere Steilheit kleinere Rauschspannung bewirkt.
Die Abnahme der Rauschspannung bei Parallelschaltung von N FETs mit 1/Wurzel(N) bekommt man nur bei bei-behaltenem Drainstrom pro FET.
Hält man stattdessen die Strom-Summe konstant (reduziert also den einzelnen Drainstrom auf Id/N), dann verringert sich die Rauschspannung nur um 1/ 4.te_Wurzel(N).
Im ersten Fall bewirken 4 parallele (gleiche) Transistoren Halbierung, im zweiten Fall braucht man dazu 16.
Das liegt daran, daß beim (idealen) FET gm proportional zu Wurzel(Id) ist.
Nachtrag2:
Bei https://audioxpress.com/article/measurem...dern-jfets
beschreibt das jemand hübsch formel-mäßig,
zeigt eine Vergleichsgrafik und eine Vergleichstabelle der Rauschspannungen von 9 aktuellen JFETs.
Für den LSK489 werden da 3,4 nV/rtHz @ 1kHz angegeben, für den CPH3910 1,4 nV/rtHz.
Simulationen mit diskreten FETs sind so zutreffend wie ihre Modelle.
Zu deiner o.a. Beispiel-Schaltung: JFETS sind am rausch-ärmsten bei den höchsten Drainströmen, also bei Ugs~0.
Also läßt man sie idR nicht mit 1 mA laufen, sondern mit 10...20 mA (auch wenn man mehrere parallel-schaltet).
Die nächste Herausforderung ist dann, einen dynamischen Drain-Last-Widerstand zu entwerfen, an dem eine Spannungs-Verstärkung von 5...10 möglich wird, ohne exzessiv viel Gleichspannungs-Abfall zu erfordern.
Noch ein "caveat": Uds darf nicht zu groß werden, sonst steigt der Drain-Gate-Leckstrom drastisch an und injiziert Rauschen in das Gate. Oft liegt diese Grenze bei 5 V
A-Bewertung ist nicht das Gleiche wie die aktuelle ITU-R 468. Bei letzterer werden die Höhen bei ~ 6.3 kHz um 12.2 dB angehoben.
A-Bewertung ist passe'.
Die typische Wiedergabe-Entzerrung beim Tonband hebt aber viel von der ITU 468 Bewertung wieder auf.
MfG Kai
Nachtrag: Die äquivalente thermische Rauschspannung am Eingang eines FETs ist en~Wurzel(4 k T 2/3 1/gm). Dabei ist gm die Steilheit des FET.
Das ist zugleich die Formel für die Rauschspannung an einem Widerstand Rn=2/3 1/gm.
Man sieht ihr an, daß größere Steilheit kleinere Rauschspannung bewirkt.
Die Abnahme der Rauschspannung bei Parallelschaltung von N FETs mit 1/Wurzel(N) bekommt man nur bei bei-behaltenem Drainstrom pro FET.
Hält man stattdessen die Strom-Summe konstant (reduziert also den einzelnen Drainstrom auf Id/N), dann verringert sich die Rauschspannung nur um 1/ 4.te_Wurzel(N).
Im ersten Fall bewirken 4 parallele (gleiche) Transistoren Halbierung, im zweiten Fall braucht man dazu 16.
Das liegt daran, daß beim (idealen) FET gm proportional zu Wurzel(Id) ist.
Nachtrag2:
Bei https://audioxpress.com/article/measurem...dern-jfets
beschreibt das jemand hübsch formel-mäßig,
zeigt eine Vergleichsgrafik und eine Vergleichstabelle der Rauschspannungen von 9 aktuellen JFETs.
Für den LSK489 werden da 3,4 nV/rtHz @ 1kHz angegeben, für den CPH3910 1,4 nV/rtHz.