JFET Arbeitspunkt

[DropOut]

Moin Holgi, noch ein Versuch?

Das Rauschen kann nur vor oder in Q4 entstehen.
Der Phasensplitter Q3 verstärkt nicht und nimmt etwa 1mA auf. Damit fällt über R15 mindestens 1V ab und für Q3, Q4 stehen knapp 8V Betriebsspannung zur Verfügung.

Mit R17 lässt sich IDS von Q4 etwa zw. 100µA (Schleifer auf GND) über 200µA (Mittelstellung) bis 400...500µA (Schleifer an S von Q4) einstellen. Hängt von den Parametern von Q4 ab. Was eingestellt werden soll, steht nirgendwo. Unter Rausch-Aspekten sollte IDS möglichst groß sein. 
Dementsprechend würden an R16 1...5V abfallen. Dto. über R10.
VDS sollte zw. 2...5V liegen. Demnach sollten über R10, R16 je 3...1,5V abfallen. Das entspräche IDS von 300..150µA. Wenn du also mit R17 2V an S von Q4 einstellen kannst (IDS = 200µA) und dann an D von Q4 etwa 5..6V anliegen, sollte für Q4 alles i.O. sein.

Um die Rauschquelle einzugrenzen, könntest du nacheinander folgende Schritte probieren und beobachten, ob das Rauschen verschwindet:
- Kapsel-Speisung entfernen
- Kapsel entfernen
- Eingang U2 gegen GND kurzschließen

Versuch macht kluch!
LG
Frank