China Mikrofone
#23
Vielen Dank an Dietmar/luedre für die Beispiele von Kapsel-Kapazitäten. Allerdings ist hier natürlich gerade die der Großmembran gefragt.

hannoholgi,'index.php?page=Thread&postID=227713#post227713 schrieb:die extrem hochohmige Kapsel erfordert nun mal diese Gigaohm-Widerstände
Um den Gitterwiderstand nicht unnötig hoch-ohmig machen zu müssen, braucht man die Kapsel-Kapazität, denn die bestimmt per 1/(2 pi C Rg) die untere 3 dB Grenzfrequenz im Eingangskreis.
Im Schaltbild des Ela M251 werden zB "nur" 30 MOhm statt 200 MOhm verwendet. Die thermische Rauschspannung der Widerstände ist Wurzel(4 k T R), also bei 200 MOhm 2,6x größer als bei 30 MOhm.
hannoholgi,'index.php?page=Thread&postID=227713#post227713 schrieb:Ich habe eben mal nach den Preisen für diese 12:1-Übertrager geschielt und damit ist meine Experimentierfreude abgewürgt. Ich gebe für so einen winzigen Trafo keine 100 Euro aus
Wenn du das zweite Röhrensystem wie in der Apex 460 als Kathodenfolger benutzt, hast du dahinter eine Ausgangs-Impedanz in der Größe von etwa 1/Steilheit. Für die ECC83 steht im Datenblatt was von 1,6 mA/V bei einem bestimmten Anodenstrom. Es gibt Röhren mit 6 mA/V. Für ein anti-symmetrisches Ausgangspaar (als symmetrischer Ausgang bekannt) für 200 Ohm braucht man zweimal 10 mA/V. Das geht mit Transistoren.

Peter Ruhrberg,'index.php?page=Thread&postID=227714#post227714 schrieb:Zum Beispiel 2SK107 oder 2SK170
Einer der besten JFETs der letzten Zeit war der BF862 von NXP. Der hatte etwa die doppelte Steilheit (45 mA/V) des 2SK170 (22 mA/V) bei nur einem Drittel (10 pF) der Eingangskapazität (30 pF).
Bei solchen FETs ist das Verhältnis von Steilheit zu Eingangskapazität "das" Qualitätsmaß. JFETs mit hoher Steilheit bei hoher Eingangskapazität hat es etliche gegeben (zB für Moving Coil PreAmps).
Der 2SK170 ist bei Mouser nicht mehr "in-stock", wird möglicherweise nicht mehr gefertigt. Der BF862 wurde leider auch schon vor einiger Zeit abgekündigt.
Die großen Halbleiter-Hersteller ziehen sich aus der Fertigung diskreter JFETs zurück.
Peter Ruhrberg,'index.php?page=Thread&postID=227714#post227714 schrieb:Deren Anteile sind in der FET-Schaltung um ca. 10 dB geringer als das "akustische Rauschen" der Mikrofonkapsel
Das bezog sich auf das Rauschen der Widerstände im Eingang. Gut zu wissen, dann ist das ja vielleicht weniger unerfreulich als befürchtet. Das Rauschen des Widerstands wird ohnehin durch den aus Widerstand und Kapselkapazität gebildeten RC-Tiefpass gefiltert. Es ist maximal bei tiefen Frequenzen unterhalb der Grenzfrequenz. Dort hat man allerdings zusätzlich mit dem 1/f bzw Funkel-Rauschen zu tun (eventuell vom Gitterstrom der Röhre). Deshalb: je kleiner der Gitterwiderstand sein darf, um die gewünschte Grenzfrequenz zu erreichen, um so besser.

MfG Kai
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