30.05.2025, 13:38
(Dieser Beitrag wurde zuletzt bearbeitet: 30.05.2025, 13:41 von Ferrograph.)
Ich habe eine Frage an die Elektronikkundigen im Forum.
Ich möchte einen ausgelöteten IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode), n-Channel mit einem analogen Vielfachmesser auf Defekt prüfen.
Dazu messe ich die C E Strecke auf Hochohmigkeit.
Mit dem -Pol des UNI10 an C und +Pol an E messe ich ca 120 bis 180kOhm über diese Strecke, auch nach mehreren Stunden. Umgedrehte Polarität zeigt unendlich. Die Meßspannung im UNI10 beträgt 3V....
Es ist laut Datenblatt keine Freilaufdiode im IGBT verbaut.
Kann ich davon ausgehen daß der Transistor defekt ist?
Ich habe hier kein Labornetzteil oder Komponententester zur Verfügung, kann also keinen Meßaufbau praktizieren....
Gruß Jan
Ich möchte einen ausgelöteten IGBT (Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode), n-Channel mit einem analogen Vielfachmesser auf Defekt prüfen.
Dazu messe ich die C E Strecke auf Hochohmigkeit.
Mit dem -Pol des UNI10 an C und +Pol an E messe ich ca 120 bis 180kOhm über diese Strecke, auch nach mehreren Stunden. Umgedrehte Polarität zeigt unendlich. Die Meßspannung im UNI10 beträgt 3V....
Es ist laut Datenblatt keine Freilaufdiode im IGBT verbaut.
Kann ich davon ausgehen daß der Transistor defekt ist?
Ich habe hier kein Labornetzteil oder Komponententester zur Verfügung, kann also keinen Meßaufbau praktizieren....
Gruß Jan