Entwicklung des Wiedergabeverstärkers mit Transistoren - eine kleine Übersicht

[franzm]

Neben dem, im Vergleich zu Silicium, niedrigeren Schmelzpunk hat Germanium noch einen weiteren Vorteil: für die Nutzung in Halbleiterbauelementen war ein viel niedrigerer Reinheitsgrad erforderlich. Silizium gelangte erst dann zum Zuge, als ausreichend reine Kristalle gezogen werden konnten. Hinzu kommt, dass der Unterschied in der Mobilität der Ladungsträger (Elektronen zu Defektelektronen - "Löcher") bei Ge um einiges geringer ist als bei Si.
Und eben dieser Unterschied in der Mobilität erklärt warum Si PNP Transistoren in einigen Bereichen besser abschneiden als ihre NPN Kollegen (z. B. bei dem Basisbahnwiderstand und der Rauschzahl).
Die frühen Ge-Transistoren scheiterten als Vorverstärker nicht am (recht geringen) Basisbahnwiderstand, sondern am Funkel- und Stromrauschen. Zum Vergleich: die als rauscharm gepriesenen BC550, haben mit ca 500 Ohm einen erheblich höheren Basisbahnwiderstand als rauscharme Ge-Typen, sind aber, wegen der höheren Stromverstärkung, viel besser für die Arbeit an mittleren Quellenwiderständen geeignet. Die weiter oben erwähnten BC327 glänzen durch niedrigen Basisbahwiderstand.
Falls jemand heute noch rauscharme Ge-Typen sucht, die russischen P27(A) und P28 sind noch einigermaßen gut erhältlich.