Tonbandforum

Normale Version: KE4-211 Sennheiser
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1. Hat jemand noch Elektret-Mikrofonkapseln KE4-211 von Sennheiser rumliegen / abzugeben ?
    Vorzugsweise KE4-211-2

2. Hat jemand Informationen über technische Details, die über die offizielle Sennheiser Dokumentation hinaus gehen ?

3. Weiß jemand, wie sich KE4-211, die im vorigen Jahrhundert im DIY-Handel auftauchten, von KE4-211-1, KE4-211-2 unterscheiden ?
  Sind es Exemplare, die außerhalb der Toleranzen lagen ?
Zu 1: Müsste ich gebraucht im Lager haben, nur leider bekomme ich die nächsten vier Wochen (mindestens) keine Gelegenheit nachzusehen.

Zu 2: An welche Details denkst du?

Zu 3 kann ich nichts sagen.
Hallo Peter,

danke für deine Antwort.

Zu 2:
Ich nehme an, dass Sennheiser da einen JFET-Chip eines der großen Hersteller verwendet hat.
Für die Erstellung eines SPICE-Modells wäre es nützlich zu wissen, um welchen FET es sich handelt.

Im Schaltbild wird angedeutet, dass das Gate über eine zusätzliche Diode mit Source verbunden ist, damit es nicht "floatet" und vermutlich, weil das weniger Rauschen erzeugt als ein Widerstand weit jenseits von 100 MOhm.
Deren Eigenschaften bräuchte man auch.

Nicht zuletzt natürlich die Kapazität der Mikrofonkapsel selbst und die von FET und Diode.

An dem KE4-211 selbst kann man ja nur die Id(Uds) Kennlinie messen und das dynamische Verhalten.
Dabei fällt auf, dass die Ausgangskennlinie im Bereich um 4 V einen differentiellen Widerstand um 50 kOhm hat (Source-Schaltung, gemessen am Drain).
Mißt man aber im Audio-Bereich den Ausgangswiderstand, kommt man auf Werte um 3.3 kOhm.
Die naheliegendste Erklärung dafür ist kapazitive Gegenkopplung vom Drain über Cgd auf das interne Gate.
Mit den Verstärkungsangaben der Doku über Drain- und Source-Schaltung (letztere 10-14 dB höher) ergäbe sich, dass Cgd mehr als ein Viertel der Kapazität zwischen Gate und Source betragen müßte (C_kapsel+Cgs).
Ohne diese Gegenkopplung betrüge der Verstärkungs-Unterschied auch eher 22 dB statt 12 dB.
Die Übergangsfrequenz vom niedrigen AC-Ausgangs-Widerstand zur statischen inversen Steigung der Id(Uds)-Kennlinie liegt unter 1 Hz. Zusammen mit typischen Transistor-Kapazitäten käme man auf Gate-Widerstände in der Größenordnung 2 GOhm und mehr.
Das kommt mir etwas komisch vor. Deshalb hätte ich auch diesbezüglich gern handfeste Insider-Informationen.
Mit Insider-Infos kann ich leider nicht dienen. Versuch's doch mal bei Sennheiser direkt, Peter Arasin kann dir vielleicht weiterhelfen.
Danke für den Namen.
Bei Sennheiser habe ich Anfang 1995 schon mal angefragt (aber wohl nicht nach den hier genannten Details).
Damals bekam ich die Original-Doku und ein DIN A4 Blatt mit handschriftlich vermerkten Messdaten von Ausgangswiderstand, "Schalldruck für 1% Klirr" bei jeweils 5V & 9V Betriebsspannng, Arbeitswiderständen von 8,2k & 15k, sowie Empfindlichkeitsangaben für Drain- & Source-Schaltung mit dem Namensvermerk "Hr. Mantel".
Die darauf für Source-Schaltung notierten Ausgangswiderstände sind mehr als doppelt so hoch verglichen mit meinem Mess-Ergebnis.